用來研究樣品在低溫或是室溫到400℃狀態下，晶體結構發生的變化。

主要技術參數：
　　溫度設置范圍：惰性氣體　　　　　　 室溫到+400℃
　　　　　　　　　真空 　　　　　　　　-193到+400℃
　　溫度控制速度：從室溫到設置溫度 　　 >10分鐘
　　溫度控制精度：溫度設定值　　　　　 ±0.5℃
　　溫度設定方式：軟件控制，連續設定
　　窗　　　　口：耐400℃、0.04㎜聚酯膜
　　制 冷 方 式：液氮（消耗量小于4L/h）